Vislielākais burtu izmērs
Lielāks burtu izmērs
Burtu standarta izmērs
Augstas pretestības rezistīvo slāņu pētījums
Pēdējās izmaiņas veiktas:
31.03.2017

Latvijas Universitātes Cietvielu Fizikas institūts (LU CFI) īsteno pētniecības projektu Darbības programmas "Izaugsme un nodarbinātība" 1.2.1. specifiskā atbalsta mērķa "Palielināt privātā sektora investīcijas P&A" 1.2.1.1. pasākuma "Atbalsts jaunu produktu un tehnoloģiju izstrādei kompetences centru ietvaros" otrās projektu iesniegumu atlases kārtas ietvaros.

Pētniecības projekta nosaukums: “Augstas pretestības rezistīvo slāņu pētījums”

Projekts Nr. 1.2.1.1/16/A/002

Projekta zinātniskais vadītājs: Profesors, Dr.habil.phys. Ivars Tāle

Mikroshēmu izmēru samazināšana, vienlaikus paaugstinot to darba spēju, ir tiešā veidā atkarīga no tā, cik maza izmēra precīzas darbības rezistīvos materiālus ir iespējams izveidot. Rezistīvie materiāli tiek uzputināti ārkārtīgi plānā kārtā (vairāki simti angstrēmu (10-10m)), iegūstot vadītājslāni un rezistoru slāni.

Projekta mērķis ir veikt pētījumus un iegūt zināšanas par augstas pretestības rezistīvo elementu izveidošanas iespējām ar samazinātām dimensijām un lieliem nomināliem. Sasniedzot pētījuma mērķi, iegūstot zināšanas par augstas pretestības (≥ 5kΩ) rezistoru izstrādi ar TCR ≤50ppm/C°, tiks radītas iespējas izstrādāt principiāli jaunus produktus – analogās mikroshēmas ar integrētiem augstas pretestības rezistoriem. Tāpat projektam izvirzīts mērķis – iegūt zināšanas par metāla silicīda plāno rezistīvo slāņu uzklāšanas metodēm, režīmiem un rezistīvo slāņu pēcapstrādi. Iegūtās zināšanas un uz tām balstītā jauna produkta izstrāde ļaus palielināt produkcijas klāstu, piedāvājot klientiem augstākas kvalitātes un precizitātes analogās mikroshēmas.